창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-JW2SN-B-DC9V | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | ||
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | JW Series | |
기타 관련 문서 | General Appl Guidelines Standards Chart How to Read Date Codes | |
종류 | 계전기 | |
제품군 | 전력 계전기, 2A 이상 | |
제조업체 | Panasonic Electric Works | |
계열 | JW | |
포장 | 트레이 | |
부품 현황 | * | |
계전기 유형 | 범용 | |
코일 유형 | 비 래칭 | |
코일 전류 | 58mA | |
코일 전압 | 9VDC | |
접점 형태 | DPDT(2 Form C) | |
접점 정격(전류) | 5A | |
스위칭 전압 | 250VAC, 30VDC - 최대 | |
턴온 전압(최대) | 6.3 VDC | |
턴오프 전압(최소) | 0.9 VDC | |
작동 시간 | 15ms | |
해제 시간 | 5ms | |
특징 | 절연 - Class B, 씰링 - 완전 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
종단 유형 | PC 핀 | |
접점 소재 | 은 니켈(AgNi) | |
코일 전력 | 530 mW | |
코일 저항 | 155옴 | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | 255-3672 JW2SN-B-DC9V-ND JW2SNBDC9V | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | JW2SN-B-DC9V | |
관련 링크 | JW2SN-B, JW2SN-B-DC9V 데이터 시트, Panasonic Electronic Components 에이전트 유통 |
C0603C823J3RACTU | 0.082µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C823J3RACTU.pdf | ||
FSP120KB-1K5 | RES 1.5K OHM 1.2W 10% AXIAL | FSP120KB-1K5.pdf | ||
PEC11L-4125F-S0020 | ENCODER | PEC11L-4125F-S0020.pdf | ||
S-8322AFMP-DOF-T2 | S-8322AFMP-DOF-T2 ORIGINAL SOT23-5 | S-8322AFMP-DOF-T2.pdf | ||
TC9418FN | TC9418FN TOS SSOP | TC9418FN.pdf | ||
LR12FTKR003 | LR12FTKR003 ORIGINAL 2512 | LR12FTKR003.pdf | ||
X28256D-35C | X28256D-35C ORIGINAL DDIP28 | X28256D-35C.pdf | ||
UT138FF-5 | UT138FF-5 UTC N A | UT138FF-5.pdf | ||
DAC20P12P0V59GSE | DAC20P12P0V59GSE ORIGINAL SMD or Through Hole | DAC20P12P0V59GSE.pdf | ||
AD7884CQ | AD7884CQ AD CDIP | AD7884CQ.pdf | ||
A3R1GE4EGF-G8E DDR2 1G | A3R1GE4EGF-G8E DDR2 1G ZENTEL SMD or Through Hole | A3R1GE4EGF-G8E DDR2 1G.pdf | ||
AM29F090B-120FI | AM29F090B-120FI AMD TSSOP | AM29F090B-120FI.pdf |