창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CL10X226MR8NUNE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CL10X226MR8NUNE Spec CL10X226MR8NUNE Characteristics MLCC Catalog | |
| 제품 교육 모듈 | High Cap MLCC Family | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 17/Dec/2015 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 22µF | |
| 허용 오차 | ±20% | |
| 전압 - 정격 | 4V | |
| 온도 계수 | X6S | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.035"(0.90mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 1276-2871-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL10X226MR8NUNE | |
| 관련 링크 | CL10X226M, CL10X226MR8NUNE 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | B32022A3223M289 | B32022A3223M289 EPCOS DIP-2 | B32022A3223M289.pdf | |
![]() | UPD780022AGK-C14-9ET | UPD780022AGK-C14-9ET NECELECTRONICS ORIGINAL | UPD780022AGK-C14-9ET.pdf | |
![]() | C3216Y5V1A106ZT0K0N | C3216Y5V1A106ZT0K0N ORIGINAL SMD or Through Hole | C3216Y5V1A106ZT0K0N.pdf | |
![]() | 0.5W6V8 | 0.5W6V8 ST DO-35 | 0.5W6V8.pdf | |
![]() | PLTDX02 | PLTDX02 ST SOP-16L | PLTDX02.pdf | |
![]() | TEG1222 | TEG1222 TRACO SMD or Through Hole | TEG1222.pdf | |
![]() | 6693 | 6693 AMP QFN | 6693.pdf | |
![]() | FS3VS | FS3VS ORIGINAL SMD or Through Hole | FS3VS.pdf | |
![]() | ROP10133/2R1A | ROP10133/2R1A ERICSSON BGA | ROP10133/2R1A.pdf | |
![]() | 5C6401-20 | 5C6401-20 MT DIP | 5C6401-20.pdf | |
![]() | K4S561632ETC75 | K4S561632ETC75 SAMSUNG TSOP-54 | K4S561632ETC75.pdf | |
![]() | SAB8032B-P. | SAB8032B-P. Siemens DIP40 | SAB8032B-P..pdf |