창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-TEESVC1C685M12R | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | TEESVC1C685M12R | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | TEESVC1C685M12R | |
관련 링크 | TEESVC1C6, TEESVC1C685M12R 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | TAJS106K010RNJ | 10µF Molded Tantalum Capacitors 10V 1206 (3216 Metric) 4 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | TAJS106K010RNJ.pdf | |
![]() | BLF8G22LS-205VU | TRANS RF LDMOS 205W SOT1239 | BLF8G22LS-205VU.pdf | |
![]() | NVMFS6B05NWFT1G | MOSFET N-CH 100V 104A SO8FL | NVMFS6B05NWFT1G.pdf | |
![]() | HM27C256AG-10 | HM27C256AG-10 HIT DIP-28 | HM27C256AG-10.pdf | |
![]() | NF4EB12V | NF4EB12V ORIGINAL BOX | NF4EB12V.pdf | |
![]() | A41-80-10A3 | A41-80-10A3 PLUSE 0755-83168500 | A41-80-10A3.pdf | |
![]() | IXE2426EC B1 | IXE2426EC B1 LEVELONE BGA | IXE2426EC B1.pdf | |
![]() | 2SD1621-TD | 2SD1621-TD HITACHI SOT89 | 2SD1621-TD.pdf | |
![]() | KD55F | KD55F Sanrex SMD or Through Hole | KD55F.pdf | |
![]() | PM-11AD23 | PM-11AD23 POWERMATE SMD or Through Hole | PM-11AD23.pdf | |
![]() | S103M49Z5UN62K5 (103M 1KV) | S103M49Z5UN62K5 (103M 1KV) ORIGINAL SMD or Through Hole | S103M49Z5UN62K5 (103M 1KV).pdf | |
![]() | NTLTD7900NR2Z | NTLTD7900NR2Z ON DFN | NTLTD7900NR2Z.pdf |