창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CL03C2R6BA3GNNC | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | MLCC Catalog CL03C2R6BA3GNNC Spec | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
계열 | CL | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 2.6pF | |
허용 오차 | ±0.1pF | |
전압 - 정격 | 25V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0201(0603 미터법) | |
크기/치수 | 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.013"(0.33mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 1276-6623-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CL03C2R6BA3GNNC | |
관련 링크 | CL03C2R6B, CL03C2R6BA3GNNC 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 |
![]() | 36401E33NJTD | 33nH Unshielded Thin Film Inductor 75mA 4.5 Ohm Max 0402 (1005 Metric) | 36401E33NJTD.pdf | |
![]() | TWW3JR75E | RES 0.75 OHM 3W 5% RADIAL | TWW3JR75E.pdf | |
![]() | MRF6995S | MRF6995S FSL SMD or Through Hole | MRF6995S.pdf | |
![]() | ACT102H-600D.1 | ACT102H-600D.1 PHA HK11 | ACT102H-600D.1.pdf | |
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![]() | 12FR010E-D2r39l10r27l90-OHMITe | 12FR010E-D2r39l10r27l90-OHMITe ohmitecom/catalog/pdf/seriespdf SMD | 12FR010E-D2r39l10r27l90-OHMITe.pdf | |
![]() | 8L101F3P6 | 8L101F3P6 ST SMD or Through Hole | 8L101F3P6.pdf | |
![]() | GRM-1 | GRM-1 FCJ SIP-12P | GRM-1.pdf | |
![]() | TS1854 | TS1854 ST SO-14 | TS1854.pdf | |
![]() | XC3S2000-4FGG676CE | XC3S2000-4FGG676CE XILINX BGA676 | XC3S2000-4FGG676CE.pdf | |
![]() | 16F946-I/PT | 16F946-I/PT MICROCHIP QFP | 16F946-I/PT.pdf |