창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CIG21W2R2MNE | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CIG21W1R0MNE Chip Inductor Catalog | |
주요제품 | CIH and CIG Series Chip Inductors | |
종류 | 인덕터, 코일, 초크 | |
제품군 | 고정 인덕터 | |
제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
계열 | CIG21W | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
유형 | 다층 | |
소재 - 코어 | - | |
유도 용량 | 2.2µH | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전류 | 810mA | |
전류 - 포화 | - | |
차폐 | 차폐 | |
DC 저항(DCR) | 200m옴 | |
Q @ 주파수 | - | |
주파수 - 자기 공진 | - | |
등급 | - | |
작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
주파수 - 테스트 | 1MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 - 장착(최대) | * | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 1276-6196-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CIG21W2R2MNE | |
관련 링크 | CIG21W2, CIG21W2R2MNE 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 |
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![]() | HGTD3N60C3 | HGTD3N60C3 ORIGINAL SMD or Through Hole | HGTD3N60C3.pdf | |
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