창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CDLL6349 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 110V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 500옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 84V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-213AB, MELF | |
| 공급 장치 패키지 | DO-213AB | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1086-1856 1086-1856-MIL | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CDLL6349 | |
| 관련 링크 | CDLL, CDLL6349 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | CDV30FH101GO3 | MICA | CDV30FH101GO3.pdf | |
![]() | SIT1602BI-83-33S-10.000000T | OSC XO 3.3V 10MHZ ST | SIT1602BI-83-33S-10.000000T.pdf | |
![]() | MMBD4448HTW-TP | DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT363 | MMBD4448HTW-TP.pdf | |
![]() | S0603-3N3G3D | 3.3nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 100 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | S0603-3N3G3D.pdf | |
![]() | ERJ-P6WF3323V | RES SMD 332K OHM 1% 1/2W 0805 | ERJ-P6WF3323V.pdf | |
![]() | HMC311LP3ETR | RF Amplifier IC General Purpose 0Hz ~ 6GHz 16-SMT (3x3) | HMC311LP3ETR.pdf | |
![]() | HW104A | HW104A ORIGINAL SMD or Through Hole | HW104A.pdf | |
![]() | MS74-121MT | MS74-121MT FH SMD | MS74-121MT.pdf | |
![]() | HG-8002JA44.736M-PCBV | HG-8002JA44.736M-PCBV EPSON SMD or Through Hole | HG-8002JA44.736M-PCBV.pdf | |
![]() | BU3608F | BU3608F ROHM SMD or Through Hole | BU3608F.pdf | |
![]() | K9W4G08U0B-YCB0 | K9W4G08U0B-YCB0 SAMSUNG TSOP48 | K9W4G08U0B-YCB0.pdf | |
![]() | 72961 | 72961 POMONA/WSI SMD or Through Hole | 72961.pdf |