창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CDBD660-G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CDBD620~6100-G | |
PCN 포장 | Label D/C Chg24/Mar/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Comchip Technology | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
전류 -평균 정류(Io) | 6A(DC) | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 6A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500µA @ 60V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | D-Pak | |
작동 온도 - 접합 | -50°C ~ 150°C | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CDBD660-G | |
관련 링크 | CDBD6, CDBD660-G 데이터 시트, Comchip Technology 에이전트 유통 |
![]() | FQPF7P20 | MOSFET P-CH 200V 5.2A TO-220F | FQPF7P20.pdf | |
![]() | S1210-562K | 5.6µH Shielded Inductor 352mA 1.3 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | S1210-562K.pdf | |
![]() | 2150-06G | 1.5µH Unshielded Molded Inductor 1.05A 280 mOhm Max Axial | 2150-06G.pdf | |
![]() | AA1210JR-07820RL | RES SMD 820 OHM 5% 1/2W 1210 | AA1210JR-07820RL.pdf | |
![]() | CMF656R4900FKBF | RES 6.49 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF656R4900FKBF.pdf | |
![]() | Y1750100K000A0L | RES 100K OHM 3/4W 0.05% AXIAL | Y1750100K000A0L.pdf | |
![]() | MCM51L01C45 | MCM51L01C45 ORIGINAL DIP22 | MCM51L01C45.pdf | |
![]() | 70C50B | 70C50B MICROSEMI SMD | 70C50B.pdf | |
![]() | IRFR9020TRPBF*********** | IRFR9020TRPBF*********** IR/VISHAY SOT252 | IRFR9020TRPBF***********.pdf | |
![]() | PPCI1420PDV | PPCI1420PDV TI TQFP-208P | PPCI1420PDV.pdf | |
![]() | LQP0603T12NH04T1M-01 | LQP0603T12NH04T1M-01 MURATA NA | LQP0603T12NH04T1M-01.pdf | |
![]() | KFG1216U2A-DIB | KFG1216U2A-DIB SAMSUNG FBGA63 | KFG1216U2A-DIB.pdf |