창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CBR04C208A1GAC | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CBR Series | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| 주요제품 | CBR Series RF Ceramic Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | CBR | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 0.20pF | |
| 허용 오차 | ±0.05pF | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.022"(0.55mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CBR04C208A1GAC | |
| 관련 링크 | CBR04C20, CBR04C208A1GAC 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8918AE-12-25E-100.000000E | OSC XO 2.5V 100MHZ OE | SIT8918AE-12-25E-100.000000E.pdf | |
![]() | CSD13383F4 | MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR | CSD13383F4.pdf | |
![]() | MT58L256L18F1T-8.5 | MT58L256L18F1T-8.5 MICRONTECHNOLOGYINC SMD or Through Hole | MT58L256L18F1T-8.5.pdf | |
![]() | AP-N205 | AP-N205 OPTEX DIP | AP-N205.pdf | |
![]() | CXC3S200-4FT256EG | CXC3S200-4FT256EG XILINX SMD or Through Hole | CXC3S200-4FT256EG.pdf | |
![]() | S416 | S416 S SC70-6 | S416.pdf | |
![]() | BTM-MCE3AU200AC-T | BTM-MCE3AU200AC-T INFINEON SMD or Through Hole | BTM-MCE3AU200AC-T.pdf | |
![]() | F78M06 | F78M06 FSC TO-251 | F78M06.pdf | |
![]() | TAJD476M010CSLZ00 | TAJD476M010CSLZ00 AVX SMD | TAJD476M010CSLZ00.pdf | |
![]() | 2EDGR-5.0-03P-14-00A(H) | 2EDGR-5.0-03P-14-00A(H) DEGSON ROHS | 2EDGR-5.0-03P-14-00A(H).pdf | |
![]() | MM3Z36VT1 | MM3Z36VT1 ONSemiconductor SMD or Through Hole | MM3Z36VT1.pdf |