창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C2225C394K1RACTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Ceramic Chip Capacitors | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | C | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 0.39µF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 2225(5763 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.221" L x 0.252" W(5.60mm x 6.40mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.049"(1.25mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | C2225C394K1RAC C2225C394K1RAC7800 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C2225C394K1RACTU | |
| 관련 링크 | C2225C394, C2225C394K1RACTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D121KLPAJ | 120pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D121KLPAJ.pdf | |
![]() | 445A23K30M00000 | 30MHz ±20ppm 수정 8pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A23K30M00000.pdf | |
![]() | SBLB1640CTHE3/81 | DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO263AB | SBLB1640CTHE3/81.pdf | |
![]() | T491A105K035AT/35V/1UF/A | T491A105K035AT/35V/1UF/A KEMET A | T491A105K035AT/35V/1UF/A.pdf | |
![]() | C69518Y=SIM-131 | C69518Y=SIM-131 NEC DIP42 | C69518Y=SIM-131.pdf | |
![]() | OMI-SS-112L1 | OMI-SS-112L1 OEG RELAY | OMI-SS-112L1.pdf | |
![]() | S-AV28 | S-AV28 TOSHIBA SMD or Through Hole | S-AV28.pdf | |
![]() | FDN357/357 | FDN357/357 FAIRCHILD SMD or Through Hole | FDN357/357.pdf | |
![]() | TMCS30E2D333MTF | TMCS30E2D333MTF KMCEMNT ce-e1002k ce-all-e1 | TMCS30E2D333MTF.pdf | |
![]() | PI6CX10027WX | PI6CX10027WX PERICOM SMD or Through Hole | PI6CX10027WX.pdf | |
![]() | R3313CI0001BM | R3313CI0001BM CMD DIP | R3313CI0001BM.pdf | |
![]() | DC2-34S | DC2-34S MAP SMD or Through Hole | DC2-34S.pdf |