창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STP12N50M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | STP12N50M2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II Plus | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 560pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 85W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-15273-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | STP12N50M2 | |
관련 링크 | STP12N, STP12N50M2 데이터 시트, STMicroelectronics 에이전트 유통 |
![]() | VS-VSKD320-16PBF | DIODE GEN 1.6KV 160A MAGNAPAK | VS-VSKD320-16PBF.pdf | |
![]() | 826656-2 | 826656-2 TECONNECTIVITY SMD or Through Hole | 826656-2.pdf | |
![]() | V48C36C150BL | V48C36C150BL VICOR SMD or Through Hole | V48C36C150BL.pdf | |
![]() | HD80 | HD80 AMI QFN | HD80.pdf | |
![]() | D37P33E6GL00 | D37P33E6GL00 FCI SMD or Through Hole | D37P33E6GL00.pdf | |
![]() | 2.4576KX-49 | 2.4576KX-49 geyer SMD or Through Hole | 2.4576KX-49.pdf | |
![]() | 5.1K-0.25W-MF-1%-100ppm-AmmoPack | 5.1K-0.25W-MF-1%-100ppm-AmmoPack Kome SMD or Through Hole | 5.1K-0.25W-MF-1%-100ppm-AmmoPack.pdf | |
![]() | MAX584RCSA | MAX584RCSA MAXIM SOP-8 | MAX584RCSA.pdf | |
![]() | PIC18F2220-E/SP | PIC18F2220-E/SP MICROCHIP SMD or Through Hole | PIC18F2220-E/SP.pdf | |
![]() | SUM110N03-3P | SUM110N03-3P Vishay D2PAK(TO-263) | SUM110N03-3P.pdf | |
![]() | NA-18W-K | NA-18W-K ORIGINAL DIP-SOP | NA-18W-K.pdf |