창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C1632X7R1C105K | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | C Series, Low ESL Flipped Type | |
| 비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
| 주요제품 | C Series Reverse Geometry MLCCs | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 2180 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | TDK Corporation | |
| 계열 | C | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 1µF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 16V | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 바이패스, 디커플링 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0612(1632 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.126" W(1.60mm x 3.20mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.051"(1.30mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 낮은 ESL(역 기하구조) | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 445-1818-2 C1632X7R1C105KT C1632X7R1C105KT000N | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C1632X7R1C105K | |
| 관련 링크 | C1632X7R, C1632X7R1C105K 데이터 시트, TDK Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 1.5SMC47A-M3/9AT | TVS DIODE 40.2VWM 64.8VC SMCJ | 1.5SMC47A-M3/9AT.pdf | |
![]() | DS1000-M | DS1000-M DALLAS DIP8 | DS1000-M.pdf | |
![]() | IS61LPD25636T-166TQ | IS61LPD25636T-166TQ ISSI QFP | IS61LPD25636T-166TQ.pdf | |
![]() | KDY24S12-1W | KDY24S12-1W YAOHUA SIP | KDY24S12-1W.pdf | |
![]() | HR-12F-18 | HR-12F-18 LAMBDA SMD or Through Hole | HR-12F-18.pdf | |
![]() | ZX10Q-2-7-S+ | ZX10Q-2-7-S+ ORIGINAL SMD or Through Hole | ZX10Q-2-7-S+.pdf | |
![]() | SD-K08GR6W | SD-K08GR6W Toshiba/Retail 8GBSecureDigital | SD-K08GR6W.pdf | |
![]() | E2E-C1B1 | E2E-C1B1 OMORN SMD or Through Hole | E2E-C1B1.pdf | |
![]() | PBD+A18973545 | PBD+A18973545 ORIGINAL SMD or Through Hole | PBD+A18973545.pdf | |
![]() | SDM321618T-R12M | SDM321618T-R12M YAGEO SMD or Through Hole | SDM321618T-R12M.pdf | |
![]() | IP-HAM-CU | IP-HAM-CU IP SMD or Through Hole | IP-HAM-CU.pdf |