창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C0805C221KDRACTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Ceramic Chip | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | C | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 220pF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 1000V(1kV) | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | SMPS 필터링 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.055"(1.40mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 고전압 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 399-7148-2 C0805C221KDRAC C0805C221KDRAC7800 C0805C221KDRACTU-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C0805C221KDRACTU | |
| 관련 링크 | C0805C221, C0805C221KDRACTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | CL03C2R4CA3GNNC | 2.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | CL03C2R4CA3GNNC.pdf | |
![]() | ECQ-E6824KFB | 0.82µF Film Capacitor 630V Polyester, Metallized Radial 1.220" L x 0.445" W (31.00mm x 11.30mm) | ECQ-E6824KFB.pdf | |
![]() | SMD1812P200TFA | FUSE RESETTABLE 2A 8V 1812 | SMD1812P200TFA.pdf | |
![]() | ICL7631BCSE | ICL7631BCSE MAXIM SMD or Through Hole | ICL7631BCSE.pdf | |
![]() | DG5141CJ | DG5141CJ VISHAY DIP16 | DG5141CJ.pdf | |
![]() | PCF84C85P1009 | PCF84C85P1009 PHI DIP40 | PCF84C85P1009.pdf | |
![]() | 343S0020-02 | 343S0020-02 INTEL QFP-208 | 343S0020-02.pdf | |
![]() | CIH03T1N0 | CIH03T1N0 Samsung SMD | CIH03T1N0.pdf | |
![]() | ES2G52T | ES2G52T vishay SMD or Through Hole | ES2G52T.pdf | |
![]() | VHK0894 | VHK0894 VHK DIP22P | VHK0894.pdf | |
![]() | YB15WSKW01-5C-JC | YB15WSKW01-5C-JC YB SMD or Through Hole | YB15WSKW01-5C-JC.pdf | |
![]() | VTM160-0/.067 | VTM160-0/.067 ORIGINAL SMD or Through Hole | VTM160-0/.067.pdf |