창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C0805C109D1GALTU | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Ceramic Chip | |
| 제품 교육 모듈 | Capacitor Basics- Typical Uses for Capacitors | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Kemet | |
| 계열 | L | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 1pF | |
| 허용 오차 | ±0.5pF | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.035"(0.88mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | C0805C109D1GAL C0805C109D1GAL7800 C0805C109D1GAL7867 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | C0805C109D1GALTU | |
| 관련 링크 | C0805C109, C0805C109D1GALTU 데이터 시트, Kemet 에이전트 유통 | |
![]() | E36D201LPN252TDA5N | 2500µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 85°C | E36D201LPN252TDA5N.pdf | |
![]() | CDV30EF430GO3 | MICA | CDV30EF430GO3.pdf | |
![]() | SIT1602BCF31-18E-10.000000X | 10MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V 4.1mA Enable/Disable | SIT1602BCF31-18E-10.000000X.pdf | |
![]() | 533050-1 | 533050-1 AMP SMD or Through Hole | 533050-1.pdf | |
![]() | R1200CH10EK0 | R1200CH10EK0 WESTCODE Module | R1200CH10EK0.pdf | |
![]() | K4H560832E-TCB3 | K4H560832E-TCB3 SAMSUNG TSOP66 | K4H560832E-TCB3.pdf | |
![]() | LTC1490CN8 | LTC1490CN8 LT SMD or Through Hole | LTC1490CN8.pdf | |
![]() | MT9V01P11STC:B | MT9V01P11STC:B Aptina original pack | MT9V01P11STC:B.pdf | |
![]() | GO7300 | GO7300 nVIDIA BGA | GO7300.pdf | |
![]() | 222221583561E3- | 222221583561E3- VISHAY DIP | 222221583561E3-.pdf | |
![]() | PC97317-IBL/VUL | PC97317-IBL/VUL NSC QFP160 | PC97317-IBL/VUL.pdf | |
![]() | CL05C010CBNCA | CL05C010CBNCA SAMSUNG SMD or Through Hole | CL05C010CBNCA.pdf |