창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-C0603JRNP09BN331 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | C0603JRNP09BN331 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | 50V330PF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | C0603JRNP09BN331 | |
| 관련 링크 | C0603JRNP, C0603JRNP09BN331 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | BFC242035102 | Film Capacitor Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | BFC242035102.pdf | |
![]() | 416F320X2ILR | 32MHz ±15ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F320X2ILR.pdf | |
![]() | RS2GHE3_A/H | DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA | RS2GHE3_A/H.pdf | |
![]() | NTD4809NT4G | MOSFET N-CH 30V 9.6A DPAK | NTD4809NT4G.pdf | |
![]() | STGWA60NC60WDR | IGBT 600V 130A 340W TO247 | STGWA60NC60WDR.pdf | |
![]() | AT24C256A-10TU-2.7 | AT24C256A-10TU-2.7 AMEL TSSOP-8 | AT24C256A-10TU-2.7.pdf | |
![]() | LTC1844ES5-BYP#PBF | LTC1844ES5-BYP#PBF LT SMD or Through Hole | LTC1844ES5-BYP#PBF.pdf | |
![]() | 1-353293-1 | 1-353293-1 TYCO SMD or Through Hole | 1-353293-1.pdf | |
![]() | 868-1/ITT2664 | 868-1/ITT2664 ITT DIP | 868-1/ITT2664.pdf | |
![]() | NM74AC377SJ | NM74AC377SJ NSC SMD or Through Hole | NM74AC377SJ.pdf | |
![]() | TC2054-2.6VCT | TC2054-2.6VCT MICROCHIP SOT-23-5 | TC2054-2.6VCT.pdf |