창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-NTD4809NT4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | N(T,V)D4809N | |
| PCN 조립/원산지 | Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.6A(Ta), 58A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(11.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1456pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 1.4W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK-3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | NTD4809NT4G-ND NTD4809NT4GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | NTD4809NT4G | |
| 관련 링크 | NTD480, NTD4809NT4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | S4-604RF8 | RES SMD 604 OHM 1% 2W 4525 | S4-604RF8.pdf | |
![]() | 82V3280PFG8 | 82V3280PFG8 ORIGINAL SMD or Through Hole | 82V3280PFG8.pdf | |
![]() | S6A0069X10-00 | S6A0069X10-00 SAMGSUNG QFP | S6A0069X10-00.pdf | |
![]() | DF40AA100 | DF40AA100 SANREX Call | DF40AA100.pdf | |
![]() | HB1085-HWA | HB1085-HWA MAXIM PLCC-28 | HB1085-HWA.pdf | |
![]() | LGHK1005-1N5S-T0402-1.5NH | LGHK1005-1N5S-T0402-1.5NH ORIGINAL SMD or Through Hole | LGHK1005-1N5S-T0402-1.5NH.pdf | |
![]() | ADP2108AUJZ-1.1-R7 | ADP2108AUJZ-1.1-R7 AD SMD or Through Hole | ADP2108AUJZ-1.1-R7.pdf | |
![]() | 1110-29-123-01G | 1110-29-123-01G METH SMD or Through Hole | 1110-29-123-01G.pdf | |
![]() | AT4508011 | AT4508011 ATMEL SOP8 | AT4508011.pdf | |
![]() | 35V82000UF | 35V82000UF HITACHI DIP | 35V82000UF.pdf | |
![]() | V300LA2 | V300LA2 LITTELFUSE DIP | V300LA2.pdf |