창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX85B4V3-TAP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX85 Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 1.3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 13옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-41 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX85B4V3-TAP | |
관련 링크 | BZX85B4, BZX85B4V3-TAP 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | RG1005P-2801-B-T5 | RES SMD 2.8K OHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005P-2801-B-T5.pdf | |
![]() | E-TA2012 T 5DB N7 | RF Attenuator 5dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 5DB N7.pdf | |
![]() | E2E-X1R5E1-R 2M | Inductive Proximity Sensor 0.059" (1.5mm) IP67 Cylinder, Threaded - M8 | E2E-X1R5E1-R 2M.pdf | |
![]() | D485506G5-25-7 JF-E2 | D485506G5-25-7 JF-E2 NEC TSSOP | D485506G5-25-7 JF-E2.pdf | |
![]() | MC100HEL51 | MC100HEL51 NULL NA | MC100HEL51.pdf | |
![]() | MB89010A-116 | MB89010A-116 FUJ SMD or Through Hole | MB89010A-116.pdf | |
![]() | LANF515RD | LANF515RD WALL SMD or Through Hole | LANF515RD.pdf | |
![]() | DM9602DC | DM9602DC FAIRCHILD CDIP | DM9602DC.pdf | |
![]() | MB89537A | MB89537A FUSJ QFP | MB89537A.pdf | |
![]() | M95512RMN6TP | M95512RMN6TP ST SOP-8 | M95512RMN6TP.pdf | |
![]() | DF-2100 | DF-2100 N/A SMD or Through Hole | DF-2100.pdf | |
![]() | M29F100B-90N1/90N6 | M29F100B-90N1/90N6 MEMORY SMD | M29F100B-90N1/90N6.pdf |