창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C51-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C43, 47, 51 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 16/Sept/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1579 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 180옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 35.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C51-FDITR BZX84C517F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C51-7-F | |
관련 링크 | BZX84C5, BZX84C51-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
VJ0603D101MLCAJ | 100pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D101MLCAJ.pdf | ||
STGB30H60DLFB | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB | STGB30H60DLFB.pdf | ||
CMF551M9600FHEK | RES 1.96M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551M9600FHEK.pdf | ||
REF01FJ | REF01FJ AD/PMI CAN8 | REF01FJ.pdf | ||
LMTZJ24C | LMTZJ24C LRC DO-35 | LMTZJ24C.pdf | ||
M6M80022 | M6M80022 MIT SMD or Through Hole | M6M80022.pdf | ||
1S2212 | 1S2212 RENESAS DO-35 | 1S2212.pdf | ||
STGW20NB60HD D/C99 | STGW20NB60HD D/C99 ST SMD or Through Hole | STGW20NB60HD D/C99.pdf | ||
LTC1771EMS8#TR | LTC1771EMS8#TR LT TSSOP8 | LTC1771EMS8#TR.pdf | ||
02CZ9.1-X(TE85L | 02CZ9.1-X(TE85L TOSHIBA SMD or Through Hole | 02CZ9.1-X(TE85L.pdf | ||
JMK212 BJ106MG-T | JMK212 BJ106MG-T BJMG-T SMD | JMK212 BJ106MG-T.pdf |