창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C18S-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1581 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 2 독립형 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 45옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 12.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C18S-FDITR BZX84C18S7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX84C18S-7-F | |
관련 링크 | BZX84C1, BZX84C18S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
B43504C5107M2 | 100µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 1.35 Ohm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43504C5107M2.pdf | ||
ESR10EZPJ241 | RES SMD 240 OHM 5% 0.4W 0805 | ESR10EZPJ241.pdf | ||
MCR18EZPF4751 | RES SMD 4.75K OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZPF4751.pdf | ||
FODM453R1V | FODM453R1V FAIRCHILD QQ- | FODM453R1V.pdf | ||
HUF75333S3S-NL | HUF75333S3S-NL FAIRC TO-263(D2PAK) | HUF75333S3S-NL.pdf | ||
TADM042G52 (3BLL12) | TADM042G52 (3BLL12) AGERE BGA | TADM042G52 (3BLL12).pdf | ||
BAL99T/R | BAL99T/R PANJIT SOT-23 | BAL99T/R.pdf | ||
MKP100.33/250/5PCM15 | MKP100.33/250/5PCM15 WIM SMD or Through Hole | MKP100.33/250/5PCM15.pdf | ||
MSP3410D C3 | MSP3410D C3 MICRONAS DIP | MSP3410D C3.pdf | ||
NF-G6100-N-A2 R | NF-G6100-N-A2 R NVIDIA BGA | NF-G6100-N-A2 R.pdf | ||
CIE260T | CIE260T ORIGINAL SMD or Through Hole | CIE260T.pdf | ||
CMX60504 | CMX60504 CML SOP | CMX60504.pdf |