창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX84C11W-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX84C2V4W - BZX84C39W | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 11V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 8V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 125°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZX84C11WDITR BZX84C11WTR BZX84C11WTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX84C11W-7 | |
| 관련 링크 | BZX84C, BZX84C11W-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8918BE-23-33N-25.000000D | OSC XO 3.3V 25MHZ NC | SIT8918BE-23-33N-25.000000D.pdf | |
![]() | RT1206CRE076K65L | RES SMD 6.65KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRE076K65L.pdf | |
![]() | RT2512FKE0715R4L | RES SMD 15.4 OHM 1% 3/4W 2512 | RT2512FKE0715R4L.pdf | |
![]() | CRCW201088K7FKEFHP | RES SMD 88.7K OHM 1% 1W 2010 | CRCW201088K7FKEFHP.pdf | |
![]() | 100L6P4 | 100L6P4 TOSHIBA SMD or Through Hole | 100L6P4.pdf | |
![]() | NANOSMD350LR-2 | NANOSMD350LR-2 TYCO SMD or Through Hole | NANOSMD350LR-2.pdf | |
![]() | V20E275L1T | V20E275L1T ORIGINAL DIP | V20E275L1T.pdf | |
![]() | XC3164A-3TQ144I | XC3164A-3TQ144I XILINX QFP144 | XC3164A-3TQ144I.pdf | |
![]() | GRM39B105K10D534(GRM | GRM39B105K10D534(GRM MURATA SMD or Through Hole | GRM39B105K10D534(GRM.pdf | |
![]() | TC7W04FUTE12LF | TC7W04FUTE12LF Toshiba SMD or Through Hole | TC7W04FUTE12LF.pdf | |
![]() | C3-Z1.2R(10)-T | C3-Z1.2R(10)-T MITSUMI SMD or Through Hole | C3-Z1.2R(10)-T.pdf |