창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX79-C4V7,113 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX79 Series | |
| PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 80옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | ALF2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 568-1670-2 933117710113 BZX79-C4V7 T/R | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX79-C4V7,113 | |
| 관련 링크 | BZX79-C4, BZX79-C4V7,113 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | CDRH2D11NP-1R5NC | 1.5µH Shielded Inductor 1.48A 68 mOhm Max Nonstandard | CDRH2D11NP-1R5NC.pdf | |
![]() | RT0805BRE07383KL | RES SMD 383K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RT0805BRE07383KL.pdf | |
![]() | TLR3A30WR010FTDG | RES SMD 0.01 OHM 1% 3W 2512 | TLR3A30WR010FTDG.pdf | |
![]() | CMF555K5600BHBF | RES 5.56K OHM 1/2W .1% AXIAL | CMF555K5600BHBF.pdf | |
![]() | GM1003-20SM | GM1003-20SM CHIPLUS SMD or Through Hole | GM1003-20SM.pdf | |
![]() | RB5995 | RB5995 N/A SMD or Through Hole | RB5995.pdf | |
![]() | C4532JF1A107ZT | C4532JF1A107ZT TDK SMD or Through Hole | C4532JF1A107ZT.pdf | |
![]() | FDG653N | FDG653N FAICHIR SMD or Through Hole | FDG653N.pdf | |
![]() | HUF76445S3ST | HUF76445S3ST HARRIH TO-263 | HUF76445S3ST.pdf | |
![]() | RSAC6.8CS | RSAC6.8CS ROHM SOD723 | RSAC6.8CS.pdf | |
![]() | HM5164805TT6 | HM5164805TT6 HITACHI SOP32 | HM5164805TT6.pdf | |
![]() | CY29FCT520ATPCE4 | CY29FCT520ATPCE4 TexasInstruments TI | CY29FCT520ATPCE4.pdf |