창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX79-C4V3,113 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX79 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | ALF2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 568-11051-2 933117700113 BZX79-C4V3 T/R BZX79-C4V3 T/R-ND BZX79-C4V3,113-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX79-C4V3,113 | |
관련 링크 | BZX79-C4, BZX79-C4V3,113 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | GTCC23-201M-R01-2 | GDT 200V 20% 1KA SURFACE MOUNT | GTCC23-201M-R01-2.pdf | |
![]() | MPLAD30KP200CA | TVS DIODE 200VWM 322VC PLAD | MPLAD30KP200CA.pdf | |
![]() | L0603100JFW800J | L0603100JFW800J AVX SMD | L0603100JFW800J.pdf | |
![]() | PTV422S | PTV422S IRF SMD or Through Hole | PTV422S.pdf | |
![]() | PME-053R3TLF | PME-053R3TLF PEAK SMD | PME-053R3TLF.pdf | |
![]() | R1211D102A-TR-F | R1211D102A-TR-F RICOH SON-6 | R1211D102A-TR-F.pdf | |
![]() | UR233-33-AA3-B-R | UR233-33-AA3-B-R UTC SOT223 | UR233-33-AA3-B-R.pdf | |
![]() | RSX201L-30 | RSX201L-30 ORIGINAL SOD-106 | RSX201L-30 .pdf | |
![]() | OS-306 | OS-306 ORIGINAL SMD or Through Hole | OS-306.pdf | |
![]() | 39VF320470-4E-EKE | 39VF320470-4E-EKE SST TSSOP | 39VF320470-4E-EKE.pdf | |
![]() | PWC0805-22K1F | PWC0805-22K1F WELWYN NA | PWC0805-22K1F.pdf |