창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX79-C3V0,133 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZX79 Series | |
| PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | ALF2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 568-11741-3 933414690133 BZX79-C3V0 AMO BZX79-C3V0 AMO-ND BZX79-C3V0,133-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZX79-C3V0,133 | |
| 관련 링크 | BZX79-C3, BZX79-C3V0,133 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | 381LX222M080A012 | 2200µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 381LX222M080A012.pdf | |
![]() | IRFS7762PBF | MOSFET N-CH 75V 104A D2PAK | IRFS7762PBF.pdf | |
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![]() | 24C256BN-10SU2.7 | 24C256BN-10SU2.7 ATMEL SOP | 24C256BN-10SU2.7.pdf | |
![]() | CD4517BD | CD4517BD ORIGINAL SMD or Through Hole | CD4517BD.pdf | |
![]() | 113A | 113A AT&T DIP16 | 113A.pdf | |
![]() | IS24C32A-2ZLI-TSTDTS | IS24C32A-2ZLI-TSTDTS INTEGRATEDSILICONSOLUTION ORIGINAL | IS24C32A-2ZLI-TSTDTS.pdf | |
![]() | CD75 120MT | CD75 120MT ORIGINAL SMD or Through Hole | CD75 120MT.pdf | |
![]() | 3590S-6-103L | 3590S-6-103L bourns DIP | 3590S-6-103L.pdf | |
![]() | DF9-51P-1V/69 | DF9-51P-1V/69 HIROSE SMD or Through Hole | DF9-51P-1V/69.pdf | |
![]() | A813XAE | A813XAE TI LFCSP | A813XAE.pdf |