창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS7762PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFS(L)7762PbF | |
주요제품 | StrongIRFET™ Power MOSFETs Automatic Opening Systems | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 85A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.7m옴 @ 51A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4440pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263AB) | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001576158 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFS7762PBF | |
관련 링크 | IRFS77, IRFS7762PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
ARR05B473JGS | 0.047µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.100" W(5.08mm x 2.54mm) | ARR05B473JGS.pdf | ||
PE-1008CD560KTT | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 1A 120 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | PE-1008CD560KTT.pdf | ||
RT1206DRE07365KL | RES SMD 365K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE07365KL.pdf | ||
87180066LF | 87180066LF FRAMATOME SMD or Through Hole | 87180066LF.pdf | ||
HT7333-A/SOT-89 | HT7333-A/SOT-89 HOLTEK SMD or Through Hole | HT7333-A/SOT-89.pdf | ||
HP-PL12060XX | HP-PL12060XX HISHINE SMD or Through Hole | HP-PL12060XX.pdf | ||
G4SB40L | G4SB40L VISHAY SMD or Through Hole | G4SB40L.pdf | ||
TP9 | TP9 ORIGINAL SMD or Through Hole | TP9.pdf | ||
U1007T | U1007T JRC SOP32 | U1007T.pdf | ||
2SB1202L-S | 2SB1202L-S UTC/ TO-252TR | 2SB1202L-S.pdf | ||
EBM453215A151 | EBM453215A151 ORIGINAL SMD | EBM453215A151.pdf | ||
S70FHR01 | S70FHR01 Origin SMD or Through Hole | S70FHR01.pdf |