창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IRFS7762PBF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IRFS(L)7762PbF | |
주요제품 | StrongIRFET™ Power MOSFETs Automatic Opening Systems | |
PCN 포장 | Package Drawing Update 19/Aug/2015 | |
PCN 부품 상태 변경 | Pkg Type Disc 16/May/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | HEXFET® | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 주문 불가 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 85A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.7m옴 @ 51A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.7V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 130nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4440pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 140W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK(TO-263AB) | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | SP001576158 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IRFS7762PBF | |
관련 링크 | IRFS77, IRFS7762PBF 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | A560J15C0GL5UAA | 56pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.098" Dia x 0.150" L(2.50mm x 3.80mm) | A560J15C0GL5UAA.pdf | |
![]() | BCM2033KTB | BCM2033KTB ORIGINAL SMD or Through Hole | BCM2033KTB.pdf | |
![]() | SB806W | SB806W ORIGINAL DIP | SB806W.pdf | |
![]() | UPD65664GM-F56-3ED-A | UPD65664GM-F56-3ED-A NEC QFP | UPD65664GM-F56-3ED-A.pdf | |
![]() | 3006P (ZLF) | 3006P (ZLF) BOURNS SMD or Through Hole | 3006P (ZLF).pdf | |
![]() | 100V4700UF 30*45 | 100V4700UF 30*45 ORIGINAL SMD or Through Hole | 100V4700UF 30*45.pdf | |
![]() | C770D | C770D NEC DIP | C770D.pdf | |
![]() | AT257 | AT257 TI SSOP20 | AT257.pdf | |
![]() | W7CF256M1XA-H20PB-001.01 | W7CF256M1XA-H20PB-001.01 ORIGINAL SMD or Through Hole | W7CF256M1XA-H20PB-001.01.pdf | |
![]() | CX02F227M | CX02F227M KEMET DIP | CX02F227M.pdf | |
![]() | DST5-36B27 | DST5-36B27 PLUSE SMD or Through Hole | DST5-36B27.pdf |