창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX79-C18,113 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX79 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 45옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 12.6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | ALF2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 568-8056-2 933117850113 BZX79-C18 T/R BZX79-C18 T/R-ND BZX79-C18,113-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX79-C18,113 | |
관련 링크 | BZX79-C, BZX79-C18,113 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
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![]() | L-07W10NGV4T | 10nH Unshielded Wirewound Inductor 480mA 195 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | L-07W10NGV4T.pdf | |
![]() | Y168782R7000T0L | RES 82.7 OHM 1/2W 0.01% RADIAL | Y168782R7000T0L.pdf | |
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![]() | NQ82915PL/SL8D6 | NQ82915PL/SL8D6 INTEL BGA 06 | NQ82915PL/SL8D6.pdf | |
![]() | DS1222S | DS1222S DALLAS SOP | DS1222S.pdf | |
![]() | CP31PM | CP31PM FUJI SMD or Through Hole | CP31PM.pdf | |
![]() | MAALSS0048TR | MAALSS0048TR MACOM SOT23-6 | MAALSS0048TR.pdf | |
![]() | NJU6325D | NJU6325D SOP JRC | NJU6325D.pdf | |
![]() | SMZJ3788A | SMZJ3788A VISHAY DO-214AA | SMZJ3788A.pdf | |
![]() | 66602-1 | 66602-1 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 66602-1.pdf | |
![]() | HSMS2822T31 | HSMS2822T31 HP SMD or Through Hole | HSMS2822T31.pdf |