창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX79-C12,113 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX79 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 12V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | ALF2 | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 568-11841-2-ND 933117810113 BZX79-C12 T/R BZX79-C12 T/R-ND BZX79-C12,113-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX79-C12,113 | |
관련 링크 | BZX79-C, BZX79-C12,113 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
VJ0603D4R7BXBAJ | 4.7pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D4R7BXBAJ.pdf | ||
SIT8208AC-3F-33E-50.00000Y | OSC XO 3.3V 50MHZ OE | SIT8208AC-3F-33E-50.00000Y.pdf | ||
TNPU120621K5AZEN00 | RES SMD 21.5KOHM 0.05% 1/4W 1206 | TNPU120621K5AZEN00.pdf | ||
K6R4008V1CJC15 | K6R4008V1CJC15 sam SMD or Through Hole | K6R4008V1CJC15.pdf | ||
137E10950 | 137E10950 FUJI BGA | 137E10950.pdf | ||
SG105T | SG105T LINFINIY CAN8 | SG105T.pdf | ||
HEDL-9040 | HEDL-9040 Agilent SMD or Through Hole | HEDL-9040.pdf | ||
IHW20N1202 | IHW20N1202 MOT NULL | IHW20N1202.pdf | ||
BL-BEG274 | BL-BEG274 BRIGHTLED 2009 | BL-BEG274.pdf | ||
TG-625C-H-103 | TG-625C-H-103 BURANS SMD or Through Hole | TG-625C-H-103.pdf | ||
44S/23 | 44S/23 GC SOT-23 | 44S/23.pdf |