창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX79-B51,143 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZX79 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 180옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 35.7V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | ALF2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 933167040143 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZX79-B51,143 | |
관련 링크 | BZX79-B, BZX79-B51,143 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 |
![]() | SDS850R-224M | 220µH Shielded Wirewound Inductor 300mA 1.18 Ohm Max Nonstandard | SDS850R-224M.pdf | |
![]() | HA17082P | HA17082P HIT DIP-8 | HA17082P.pdf | |
![]() | TZBX4B200AAT10T00 | TZBX4B200AAT10T00 MURATA 4X4-20P | TZBX4B200AAT10T00.pdf | |
![]() | SIOV-Q14K300 | SIOV-Q14K300 EPCOS DIP | SIOV-Q14K300.pdf | |
![]() | SC0603-220EN | SC0603-220EN SC SMD or Through Hole | SC0603-220EN.pdf | |
![]() | CS460 | CS460 ORIGINAL TO220 | CS460.pdf | |
![]() | L1A7757 | L1A7757 LSI QFP120 | L1A7757.pdf | |
![]() | SKKH250/14E | SKKH250/14E SEMIKRON SMD or Through Hole | SKKH250/14E.pdf | |
![]() | QH25F016S33B8SLAHF | QH25F016S33B8SLAHF ORIGINAL 8SOP | QH25F016S33B8SLAHF.pdf | |
![]() | B32911B3223m000 | B32911B3223m000 EPCOS SMD or Through Hole | B32911B3223m000.pdf | |
![]() | PNX8011DIHN/0029/1 | PNX8011DIHN/0029/1 NXP HVQFN-88P | PNX8011DIHN/0029/1.pdf |