창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C4V3LP-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±7% | |
전력 - 최대 | 250mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C4V3LP7 BZT52C4V3LPDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C4V3LP-7 | |
관련 링크 | BZT52C4, BZT52C4V3LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
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![]() | DSC1001DL5-033.0000 | 33MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.7 V ~ 3.6 V 7.2mA Enable/Disable | DSC1001DL5-033.0000.pdf | |
![]() | 0805F683M160NT | 0805F683M160NT FH SMD or Through Hole | 0805F683M160NT.pdf | |
![]() | PCF8576DT/2+118 | PCF8576DT/2+118 PHINXP TSSOP48 | PCF8576DT/2+118.pdf | |
![]() | 220VXG1500M30X50 | 220VXG1500M30X50 RUBYCON DIP | 220VXG1500M30X50.pdf | |
![]() | S19AL064ATFW3 | S19AL064ATFW3 SPANSION SMD or Through Hole | S19AL064ATFW3.pdf | |
![]() | STW8Q2PA-E0E5 | STW8Q2PA-E0E5 SEOULSemiconductor SMD or Through Hole | STW8Q2PA-E0E5.pdf | |
![]() | NSR330M35V6.3x5F | NSR330M35V6.3x5F NIC DIP | NSR330M35V6.3x5F.pdf | |
![]() | 88AK003 | 88AK003 ATMEL SOP8 | 88AK003.pdf | |
![]() | M88I8030B6-NNC1 | M88I8030B6-NNC1 MARVELL SMD or Through Hole | M88I8030B6-NNC1.pdf |