창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C4V3LP-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±7% | |
전력 - 최대 | 250mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C4V3LP7 BZT52C4V3LPDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C4V3LP-7 | |
관련 링크 | BZT52C4, BZT52C4V3LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | 445C3XJ20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 9pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XJ20M00000.pdf | |
![]() | SG-8506CA-PRKZ | 50MHz ~ 800MHz LVPECL XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5 V ~ 3.3 V 90mA Enable/Disable | SG-8506CA-PRKZ.pdf | |
![]() | ISSI516 | ISSI516 ORIGINAL SOP8 | ISSI516.pdf | |
![]() | M62519FP | M62519FP MIT SOP | M62519FP.pdf | |
![]() | LD1117AST . | LD1117AST . STM SOT-223 | LD1117AST ..pdf | |
![]() | LTC3707EGW | LTC3707EGW LINEAR SSOP28 | LTC3707EGW.pdf | |
![]() | MC44826DR2 | MC44826DR2 MOTOROLA SMD or Through Hole | MC44826DR2.pdf | |
![]() | BR1632AVA | BR1632AVA RAYOVAC SMD or Through Hole | BR1632AVA.pdf | |
![]() | 02ER11 | 02ER11 Curtis SMD or Through Hole | 02ER11.pdf | |
![]() | SSM3J03T | SSM3J03T TOSHIBA SOT-23 | SSM3J03T.pdf | |
![]() | QS74FCT251CTSO | QS74FCT251CTSO Q SOP | QS74FCT251CTSO.pdf |