창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C3V9LP-7 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
| 카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 250mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 2-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C3V9LPDITR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C3V9LP-7 | |
| 관련 링크 | BZT52C3, BZT52C3V9LP-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | 02013A8R2DAT2A | 8.2pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | 02013A8R2DAT2A.pdf | |
![]() | C901U200JYSDBA7317 | 20pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U200JYSDBA7317.pdf | |
![]() | MMBZ5251B-HE3-18 | DIODE ZENER 22V 225MW SOT23-3 | MMBZ5251B-HE3-18.pdf | |
![]() | AT0603BRE071K5L | RES SMD 1.5K OHM 0.1% 1/10W 0603 | AT0603BRE071K5L.pdf | |
![]() | RCP0505W360RJWB | RES SMD 360 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505W360RJWB.pdf | |
![]() | CMF50600K00FKEB | RES 600K OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF50600K00FKEB.pdf | |
![]() | JN-1218A | JN-1218A ORIGINAL SMD or Through Hole | JN-1218A.pdf | |
![]() | 2SC3325-Y(T5L.F) | 2SC3325-Y(T5L.F) TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SC3325-Y(T5L.F).pdf | |
![]() | MCP1640-I/MC | MCP1640-I/MC MICROCHIP DFN-8 | MCP1640-I/MC.pdf | |
![]() | RCP1400Q10 | RCP1400Q10 RN SMD | RCP1400Q10.pdf | |
![]() | SI3018-KE | SI3018-KE ORIGINAL SMD | SI3018-KE.pdf | |
![]() | MM1772FFBE | MM1772FFBE MIT SOP7 | MM1772FFBE.pdf |