창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C3V6S-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BZT52C2V0S - BZT52C39S | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.6V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C3V6SDITR BZT52C3V6STR BZT52C3V6STR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BZT52C3V6S-7 | |
관련 링크 | BZT52C3, BZT52C3V6S-7 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
ERD-S2TJ224V | RES 220K OHM 1/4W 5% AXIAL | ERD-S2TJ224V.pdf | ||
K5L6331CAM-D | K5L6331CAM-D SAMSUNG BGA | K5L6331CAM-D.pdf | ||
K2061 | K2061 SAYN TO-3P | K2061.pdf | ||
PMB5420RV1.1 | PMB5420RV1.1 SIEMENS TSSOP | PMB5420RV1.1.pdf | ||
BINF | BINF FAIRCHILD MAB08A | BINF.pdf | ||
TC74HC153F | TC74HC153F Toshiba SOP-16 | TC74HC153F.pdf | ||
AZ1584S-5.0 | AZ1584S-5.0 AZ TO-263 | AZ1584S-5.0.pdf | ||
905841312 | 905841312 Molex SMD or Through Hole | 905841312.pdf | ||
11448328 | 11448328 ORIGINAL DIP | 11448328.pdf | ||
ISPLSI1032-80JL | ISPLSI1032-80JL LATTICE PLCC | ISPLSI1032-80JL.pdf | ||
2SA1174-T-KM | 2SA1174-T-KM NEC SMD or Through Hole | 2SA1174-T-KM.pdf | ||
S5PC100X80-LA40 | S5PC100X80-LA40 SAMSUNG BGA | S5PC100X80-LA40.pdf |