창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52C16S-7-F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BZT52C2V0S - BZT52C39S | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
| PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Green Encapsulate 29/Aug/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
| PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1577 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Diodes Incorporated | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
| 허용 오차 | ±6% | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 11.2V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BZT52C16S-FDITR BZT52C16S7F | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52C16S-7-F | |
| 관련 링크 | BZT52C1, BZT52C16S-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 | |
![]() | IPB108N15N3 G | MOSFET N-CH 150V 83A TO263-3 | IPB108N15N3 G.pdf | |
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![]() | LNX2W822MSEJBN | LNX2W822MSEJBN NICHICON DIP | LNX2W822MSEJBN.pdf | |
![]() | S29GL128M10TFIR2 | S29GL128M10TFIR2 SPANSION TSOP | S29GL128M10TFIR2.pdf | |
![]() | 3388E2.4 | 3388E2.4 ORIGINAL QFN | 3388E2.4.pdf | |
![]() | RNV40314/10 | RNV40314/10 MAJOR SMD or Through Hole | RNV40314/10.pdf |