창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IPB108N15N3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IPB108N15N3 G,IPx111N15N3 G | |
주요제품 | Automatic Opening Systems | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 83A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.8m옴 @ 83A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 160µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3230pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 214W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | PG-TO263-2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | IPB108N15N3 G-ND IPB108N15N3G IPB108N15N3GATMA1 SP000677862 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IPB108N15N3 G | |
관련 링크 | IPB108N, IPB108N15N3 G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
VIT3080CHM3/4W | DIODE SCHOTTKY 30A 80V TO-262AA | VIT3080CHM3/4W.pdf | ||
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![]() | EY9812RB | EY9812RB EPSON BGA | EY9812RB.pdf | |
![]() | BSM200GA120DN2DLC | BSM200GA120DN2DLC EUPEC 200A 1200V 1U | BSM200GA120DN2DLC.pdf | |
![]() | UPD17147GT(A)-A43-E2 | UPD17147GT(A)-A43-E2 NEC SOP28 | UPD17147GT(A)-A43-E2.pdf | |
![]() | 8532MCQE2 | 8532MCQE2 CK SMD or Through Hole | 8532MCQE2.pdf | |
![]() | bc56-12ywa | bc56-12ywa kbe SMD or Through Hole | bc56-12ywa.pdf |