창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BUK7C3R1-80EJ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | 934067493118 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK(7-Lead) | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BUK7C3R1-80EJ | |
| 관련 링크 | BUK7C3R, BUK7C3R1-80EJ 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8208AI-3F-25E-50.000000Y | OSC XO 2.5V 50MHZ OE | SIT8208AI-3F-25E-50.000000Y.pdf | |
![]() | GP1M006A065CH | MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK | GP1M006A065CH.pdf | |
![]() | PHP00805E5300BBT1 | RES SMD 530 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E5300BBT1.pdf | |
![]() | HD31830A00 | HD31830A00 HITACHI QFP | HD31830A00.pdf | |
![]() | P3100SALPR | P3100SALPR LittelFuse DO214AA(2.5KREEL) | P3100SALPR.pdf | |
![]() | 6432612B20FA211924-56100 | 6432612B20FA211924-56100 FUJ QFP | 6432612B20FA211924-56100.pdf | |
![]() | HS3M R6 | HS3M R6 TSC SMC | HS3M R6.pdf | |
![]() | RN55D1213F | RN55D1213F VISHAY SMD or Through Hole | RN55D1213F.pdf | |
![]() | ICS9112M16L. | ICS9112M16L. ICS SOP8 | ICS9112M16L..pdf | |
![]() | 120W-12V.24V | 120W-12V.24V ORIGINAL SMD or Through Hole | 120W-12V.24V.pdf | |
![]() | 2SA1037KLN-DR | 2SA1037KLN-DR JAPAN SOT23 | 2SA1037KLN-DR.pdf | |
![]() | RT9166A-18CX | RT9166A-18CX RICHTEK SOT-89 | RT9166A-18CX.pdf |