창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ130N03LS G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ130N03LS G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1614 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta), 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 970pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ130N03LSG BSZ130N03LSGATMA1 BSZ130N03LSGINTR BSZ130N03LSGXT SP000278810 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ130N03LS G | |
관련 링크 | BSZ130N, BSZ130N03LS G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | S470K25SL0N6UJ6R | 47pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.256" Dia(6.50mm) | S470K25SL0N6UJ6R.pdf | |
![]() | L79L05ACDR | L79L05ACDR STC SOP | L79L05ACDR.pdf | |
![]() | DF110S | DF110S DF SMD or Through Hole | DF110S.pdf | |
![]() | MC33170DTR2 | MC33170DTR2 ON TSSOP | MC33170DTR2.pdf | |
![]() | GP3Y0D01-33/3Y0D01 | GP3Y0D01-33/3Y0D01 SHARP SMD or Through Hole | GP3Y0D01-33/3Y0D01.pdf | |
![]() | C1206Y226Z100WT | C1206Y226Z100WT ORIGINAL SMD | C1206Y226Z100WT.pdf | |
![]() | KC20E1A106M-TS2 | KC20E1A106M-TS2 ORIGINAL SMD or Through Hole | KC20E1A106M-TS2.pdf | |
![]() | AD751J | AD751J AD SMD or Through Hole | AD751J.pdf | |
![]() | IRLML6401TRPB | IRLML6401TRPB IR SOT-23 | IRLML6401TRPB.pdf | |
![]() | 2SA1797/AG | 2SA1797/AG ROHM SMD or Through Hole | 2SA1797/AG.pdf | |
![]() | SQJ858EP-T1-GE3 | SQJ858EP-T1-GE3 VISHAY PAKSO-8 | SQJ858EP-T1-GE3.pdf | |
![]() | SZ45D7 | SZ45D7 VISHVISHAY/ST/GSAY SMD DIP | SZ45D7.pdf |