창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ0909NSATMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSZ0909NS | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 34V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta), 36A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1310pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ0909NS BSZ0909NS-ND BSZ0909NSTR-ND SP000832568 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSZ0909NSATMA1 | |
관련 링크 | BSZ0909N, BSZ0909NSATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | CDSH3-4448C-G | DIODE ARRAY GP 80V 250MA SOT523 | CDSH3-4448C-G.pdf | |
![]() | Y000740K0000D0L | RES 40K OHM 0.6W 0.5% RADIAL | Y000740K0000D0L.pdf | |
![]() | JRC2206D | JRC2206D JRC DIP20 | JRC2206D.pdf | |
![]() | PCF8583T/5T/SMD | PCF8583T/5T/SMD PHI SMD or Through Hole | PCF8583T/5T/SMD.pdf | |
![]() | 7733B1 | 7733B1 TI SOP8 | 7733B1.pdf | |
![]() | SKKT430/20E H4 | SKKT430/20E H4 SEMIKRON SMD or Through Hole | SKKT430/20E H4.pdf | |
![]() | 241KD30 | 241KD30 ORIGINAL SMD or Through Hole | 241KD30.pdf | |
![]() | JQX-14FF1-12V-2C | JQX-14FF1-12V-2C ORIGINAL SMD or Through Hole | JQX-14FF1-12V-2C.pdf | |
![]() | S70FNN10 | S70FNN10 Origin SMD or Through Hole | S70FNN10.pdf | |
![]() | SM5420C-030-A | SM5420C-030-A SMI SMD or Through Hole | SM5420C-030-A.pdf | |
![]() | HP32G101MRWS3 | HP32G101MRWS3 HITACHI DIP | HP32G101MRWS3.pdf | |
![]() | 2SC4954 NOPB | 2SC4954 NOPB NEC SOT23 | 2SC4954 NOPB.pdf |