창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSZ0909NSATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSZ0909NS | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 34V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9A(Ta), 36A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1310pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSZ0909NS BSZ0909NS-ND BSZ0909NSTR-ND SP000832568 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSZ0909NSATMA1 | |
| 관련 링크 | BSZ0909N, BSZ0909NSATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | ADP1710AUJZ-R7 TEL | ADP1710AUJZ-R7 TEL AD SOT153 | ADP1710AUJZ-R7 TEL.pdf | |
![]() | S-875062EUP | S-875062EUP SEIKO SOT-89-5 | S-875062EUP.pdf | |
![]() | S-80C52CCTY-20 | S-80C52CCTY-20 TEMIC PLCC-44L | S-80C52CCTY-20.pdf | |
![]() | TLP355T | TLP355T TOSHIBA SOP4 | TLP355T.pdf | |
![]() | UUJ2C470MNR1MS | UUJ2C470MNR1MS NICHICON SMD or Through Hole | UUJ2C470MNR1MS.pdf | |
![]() | NTC-T685M6.3TRA2F | NTC-T685M6.3TRA2F NIC SMD | NTC-T685M6.3TRA2F.pdf | |
![]() | G20TC10M | G20TC10M SHINDENGEN TO-220F | G20TC10M.pdf | |
![]() | CR1-682J | CR1-682J ORIGINAL SMD or Through Hole | CR1-682J.pdf | |
![]() | 48103-0510 | 48103-0510 MOLEX SMD or Through Hole | 48103-0510.pdf | |
![]() | 8000-86111-3891000 | 8000-86111-3891000 MURR SMD or Through Hole | 8000-86111-3891000.pdf | |
![]() | PA-3203 | PA-3203 ORIGINAL SMD or Through Hole | PA-3203.pdf | |
![]() | SFP-OC3-MM | SFP-OC3-MM ORIGINAL MoKuai | SFP-OC3-MM.pdf |