창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSZ0506NSATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSZ0506NS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta), 40A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.4m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 950pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8-FL(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | SP001281636 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSZ0506NSATMA1 | |
| 관련 링크 | BSZ0506N, BSZ0506NSATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 02013J1R2ABWTR\500 | 1.2pF Thin Film Capacitor 25V 0201 (0603 Metric) 0.024" L x 0.013" W (0.60mm x 0.33mm) | 02013J1R2ABWTR\500.pdf | |
![]() | CMF60100K00FHEB | RES 100K OHM 1W 1% AXIAL | CMF60100K00FHEB.pdf | |
![]() | 331CP | 331CP MICR SOT-89 | 331CP.pdf | |
![]() | 11001P | 11001P ORIGINAL DIP-8 | 11001P.pdf | |
![]() | 74LV273DB | 74LV273DB PHI SOP | 74LV273DB.pdf | |
![]() | PMB2800E V4.3 | PMB2800E V4.3 SIEMENS BGA | PMB2800E V4.3.pdf | |
![]() | CMPZ5260BT/R | CMPZ5260BT/R CENTRAL SOT-23 | CMPZ5260BT/R.pdf | |
![]() | AHC02EP | AHC02EP TI TSSOP | AHC02EP.pdf | |
![]() | RC 3 BU 23050 | RC 3 BU 23050 MURR null | RC 3 BU 23050.pdf | |
![]() | KDP6619 | KDP6619 ORIGINAL DIP | KDP6619.pdf | |
![]() | OPF507 | OPF507 ORIGINAL NEW | OPF507.pdf | |
![]() | 12F635-I/MD | 12F635-I/MD ORIGINAL QFN | 12F635-I/MD.pdf |