창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSS84PWH6327XTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSS84PW | |
PCN 포장 | Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | SIPMOS® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8옴 @ 150mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 20µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 19.1pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT323-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BSS84PWH6327XTSA1TR SP000917564 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSS84PWH6327XTSA1 | |
관련 링크 | BSS84PWH63, BSS84PWH6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
HD6417751R BP200V | HD6417751R BP200V HITACHI BGA | HD6417751R BP200V.pdf | ||
IRF3707ZCSPBF | IRF3707ZCSPBF IR SOT-263D2-P | IRF3707ZCSPBF.pdf | ||
IMSA-9617-20Y910 | IMSA-9617-20Y910 ORIGINAL IRISOCON | IMSA-9617-20Y910.pdf | ||
4GBU06F | 4GBU06F IR SMD or Through Hole | 4GBU06F.pdf | ||
24LC04BT-E/OT | 24LC04BT-E/OT MICROCHIP SOT-23-5-TR | 24LC04BT-E/OT.pdf | ||
LM7001CN | LM7001CN NS DIP8 | LM7001CN.pdf | ||
DAC121S101CIMMX | DAC121S101CIMMX NS MSOP8 | DAC121S101CIMMX.pdf | ||
A6821 | A6821 ALLEGRO SOP-16 | A6821.pdf | ||
MC6802FC20E | MC6802FC20E MOT QFP | MC6802FC20E.pdf | ||
CS5253-1YD | CS5253-1YD ON TO263-5 | CS5253-1YD.pdf | ||
NMC2147-HN-3 | NMC2147-HN-3 NSC SMD or Through Hole | NMC2147-HN-3.pdf |