창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSS306N H6327 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSS306N | |
PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.3A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 57m옴 @ 2.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 11µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.5nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 275pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BSS306N H6327-ND BSS306NH6327 BSS306NH6327XTSA1 SP000928940 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSS306N H6327 | |
관련 링크 | BSS306N, BSS306N H6327 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
BZX84B30-HE3-08 | DIODE ZENER 30V 300MW SOT23-3 | BZX84B30-HE3-08.pdf | ||
SHL7015 | SHL7015 Freescale SMD or Through Hole | SHL7015.pdf | ||
TCP-2-25 | TCP-2-25 MINI SMD or Through Hole | TCP-2-25.pdf | ||
10069 | 10069 M-STATICCONTROLSOLUTIONS 1000Series6inchx | 10069.pdf | ||
CKCL44X7R1H102MT | CKCL44X7R1H102MT TDK SMD | CKCL44X7R1H102MT.pdf | ||
ATA5745_PXPW | ATA5745_PXPW ORIGINAL SMD | ATA5745_PXPW.pdf | ||
ICL3232EIAAZ | ICL3232EIAAZ INTERSIL TSOP16 | ICL3232EIAAZ.pdf | ||
1700/26 | 1700/26 m SMD or Through Hole | 1700/26.pdf | ||
AS4C256K16F0-50JCN | AS4C256K16F0-50JCN ALLIANCE SOJ | AS4C256K16F0-50JCN.pdf | ||
MFC1772A | MFC1772A synergymwave SMD or Through Hole | MFC1772A.pdf | ||
GT18T512161I-37 | GT18T512161I-37 ORIGINAL BGA | GT18T512161I-37.pdf | ||
LC8017W | LC8017W SANYO QFP | LC8017W.pdf |