창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSS159N H6906 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSS159N | |
| PCN 포장 | Carrier Tape Update 03/Jun/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 공핍 모드 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 230mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.5옴 @ 160mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 26µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.9nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 44pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 360mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT23-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | BSS159N H6906-ND BSS159NH6906 BSS159NH6906XTSA1 SP000702636 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSS159N H6906 | |
| 관련 링크 | BSS159N, BSS159N H6906 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | 3404.2347.23 | FUSE BRD MNT 1.5A 125VAC/VDC SMD | 3404.2347.23.pdf | |
![]() | SMHR-32BT3S | SMHR-32BT3S HSTECH 1KR | SMHR-32BT3S.pdf | |
![]() | LC3664ALL-10 | LC3664ALL-10 SANYO DIP28P | LC3664ALL-10.pdf | |
![]() | BL-HYB35A-TRB | BL-HYB35A-TRB BRIGHT ROHS | BL-HYB35A-TRB.pdf | |
![]() | C3216X7R1H225K | C3216X7R1H225K TDK SMD | C3216X7R1H225K.pdf | |
![]() | MM525V1ST1G | MM525V1ST1G ON SOT | MM525V1ST1G.pdf | |
![]() | B41456B4680M000 | B41456B4680M000 EPCOS dip | B41456B4680M000.pdf | |
![]() | TLP191B(F) | TLP191B(F) TOSHIBA SOP4 | TLP191B(F).pdf | |
![]() | wjlxt360e a2 | wjlxt360e a2 Cortina qfp | wjlxt360e a2.pdf | |
![]() | 021-21 | 021-21 ORIGINAL SMD or Through Hole | 021-21.pdf | |
![]() | FN3275H-100-35 | FN3275H-100-35 Schaffner SMD or Through Hole | FN3275H-100-35.pdf |