홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » BSS138Q-7-F

Diodes Incorporated BSS138Q-7-F

BSS138Q-7-F
제조업체 부품 번호
BSS138Q-7-F
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT23
데이터 시트 다운로드
다운로드
BSS138Q-7-F 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 59.67567
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BSS138Q-7-F 재고가 있습니다. 우리는 Diodes Incorporated 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Diodes Incorporated 전자 부품 전문. BSS138Q-7-F 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BSS138Q-7-F가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BSS138Q-7-F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BSS138Q-7-F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BSS138Q-7-F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSS138 Datasheet
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Diodes Incorporated
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)50V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C200mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.5옴 @ 220mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds50pF @ 10V
전력 - 최대300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 장치 패키지SOT-23-3
표준 포장 3,000
다른 이름BSS138Q-7-FDI
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BSS138Q-7-F
관련 링크BSS138, BSS138Q-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통
BSS138Q-7-F 의 관련 제품
OSC XO 3.3V 100MHZ OE SIT8209AI-G3-33E-100.000000Y.pdf
DIODE ZENER 8.2V 250MW SOT23 BZX84-B8V2,235.pdf
MM3T39062T1G ON 09 PBF MM3T39062T1G.pdf
CP10110K550P RCD SMD or Through Hole CP10110K550P.pdf
SI4450 VISHAY SOP8 SI4450.pdf
1A 125V SG SMD or Through Hole 1A 125V.pdf
74LVTH322374ZKER TI BGA 74LVTH322374ZKER.pdf
LT17351IGN1 LT NULL LT17351IGN1.pdf
IX0272AWZZ SH QFP IX0272AWZZ.pdf
1-962126-1 Tyco con 1-962126-1.pdf
EP220LC-12H ALTERA Call EP220LC-12H.pdf
FS0802BW FAGOR TO-220F FS0802BW.pdf