창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSS123-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSS123 Datasheet | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate 15/May/2008 Bond Wire 3/May/2011 | |
PCN 조립/원산지 | Plating Site Addition 29/Jul/2015 | |
카탈로그 페이지 | 1572 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 170mA(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6옴 @ 170mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 60pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300mW | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BSS123-FDITR BSS1237F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSS123-7-F | |
관련 링크 | BSS123, BSS123-7-F 데이터 시트, Diodes Incorporated 에이전트 유통 |
![]() | VS-HFA25TB60STRHM3 | DIODE HEXFRED 25A 600V D2PAK | VS-HFA25TB60STRHM3.pdf | |
![]() | RG2012V-4751-B-T5 | RES SMD 4.75K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012V-4751-B-T5.pdf | |
![]() | CMF551K7400FHEB | RES 1.74K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551K7400FHEB.pdf | |
![]() | SPC7213F0AI | SPC7213F0AI EPSON QFP | SPC7213F0AI.pdf | |
![]() | ADC12V170CISQ | ADC12V170CISQ NS LLP48 | ADC12V170CISQ.pdf | |
![]() | DS8837J/883 | DS8837J/883 NS DIP | DS8837J/883.pdf | |
![]() | 14015B/BEBJC883 | 14015B/BEBJC883 ORIGINAL CDIP | 14015B/BEBJC883.pdf | |
![]() | SZP5026 | SZP5026 ORIGINAL SOF-26 | SZP5026.pdf | |
![]() | 3SK318YB | 3SK318YB RENESAS SMD or Through Hole | 3SK318YB.pdf | |
![]() | 32-1026 | 32-1026 RF SMD or Through Hole | 32-1026.pdf | |
![]() | D45D1 | D45D1 HARRIS SMD or Through Hole | D45D1.pdf | |
![]() | XC4062XL-PG475CMN | XC4062XL-PG475CMN XILINX PGA | XC4062XL-PG475CMN.pdf |