창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSO040N03MSGXUMA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSO040N03MS G | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 73nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5700pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 1.56W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | PG-DSO-8 | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | BSO040N03MS G BSO040N03MS G-ND SP000446070 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSO040N03MSGXUMA1 | |
관련 링크 | BSO040N03M, BSO040N03MSGXUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | BSS169H6906XTSA1 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23 | BSS169H6906XTSA1.pdf | |
![]() | SR1206JR-07680RL | RES SMD 680 OHM 5% 1/4W 1206 | SR1206JR-07680RL.pdf | |
![]() | RR0816Q-18R2-D-26R | RES SMD 18.2 OHM 0.5% 1/16W 0603 | RR0816Q-18R2-D-26R.pdf | |
![]() | DIAMOND-I-12M | DIAMOND-I-12M Lattice SMD or Through Hole | DIAMOND-I-12M.pdf | |
![]() | 528850304 | 528850304 MOIEX SMD or Through Hole | 528850304.pdf | |
![]() | LM4040DIM3-3.0/NOPB | LM4040DIM3-3.0/NOPB NSC SMD or Through Hole | LM4040DIM3-3.0/NOPB.pdf | |
![]() | L9104PD. | L9104PD. ST SOP | L9104PD..pdf | |
![]() | CMPP6028 | CMPP6028 CENTRAL SOT-23 | CMPP6028.pdf | |
![]() | MBR0502L | MBR0502L ORIGINAL SMD or Through Hole | MBR0502L.pdf | |
![]() | MR27V6402L-2SJWEZD00 | MR27V6402L-2SJWEZD00 OKI SMD or Through Hole | MR27V6402L-2SJWEZD00.pdf | |
![]() | LM317KCE3 | LM317KCE3 TI TO-220 | LM317KCE3.pdf | |
![]() | HD68010P12 | HD68010P12 HIT DIP | HD68010P12.pdf |