창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSM180D12P2C101 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSM180D12P2C101 BSM180D12P2C101 | |
주요제품 | Full-SiC Half-Bridge Power Modules 1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 35.2mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23000pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1130W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | * | |
패키지/케이스 | 모듈 | |
공급 장치 패키지 | 모듈 | |
표준 포장 | 12 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSM180D12P2C101 | |
관련 링크 | BSM180D12, BSM180D12P2C101 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | GHXS030A060S-D3 | DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227 | GHXS030A060S-D3.pdf | |
![]() | AF164-FR-0717R8L | RES ARRAY 4 RES 17.8 OHM 1206 | AF164-FR-0717R8L.pdf | |
![]() | CMF651M0000BHBF | RES 1M OHM 1.5W 0.1% AXIAL | CMF651M0000BHBF.pdf | |
![]() | BB-123R3D LF | BB-123R3D LF BOTHHAND DPI16 | BB-123R3D LF.pdf | |
![]() | T1034AH | T1034AH LUCENT QFP | T1034AH.pdf | |
![]() | LM320K-5.2 | LM320K-5.2 NS TO-3 | LM320K-5.2.pdf | |
![]() | 0805F 4R75 | 0805F 4R75 ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805F 4R75.pdf | |
![]() | 3590-500 | 3590-500 BOURNS DIP | 3590-500.pdf | |
![]() | FAS236 2400150 | FAS236 2400150 GLOGIC QFP100P | FAS236 2400150.pdf | |
![]() | IDT5V49EE702NDGI | IDT5V49EE702NDGI IDT 28-VFQFPN | IDT5V49EE702NDGI.pdf | |
![]() | SDWL1608CR22JT | SDWL1608CR22JT ORIGINAL SMD or Through Hole | SDWL1608CR22JT.pdf | |
![]() | NASE101M35V8X10.5LBF | NASE101M35V8X10.5LBF NIC SMD | NASE101M35V8X10.5LBF.pdf |