창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSM120D12P2C005 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Power Devices, NE Handbook Series BSM120D12P2C005 | |
주요제품 | Full-SiC Half-Bridge Power Modules 1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.7V @ 22mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14000pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 780W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | * | |
패키지/케이스 | 모듈 | |
공급 장치 패키지 | 모듈 | |
표준 포장 | 12 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSM120D12P2C005 | |
관련 링크 | BSM120D12, BSM120D12P2C005 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
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