Rohm Semiconductor BSM120D12P2C005

BSM120D12P2C005
제조업체 부품 번호
BSM120D12P2C005
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
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내부 부품 번호EIS-BSM120D12P2C005
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서Power Devices, NE Handbook Series
BSM120D12P2C005
주요제품Full-SiC Half-Bridge Power Modules
1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장벌크
부품 현황유효
FET 유형2 N 채널(하프브리지)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)1200V(1.2kV)
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C120A
Rds On(최대) @ Id, Vgs-
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.7V @ 22mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds14000pF @ 10V
전력 - 최대780W
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형*
패키지/케이스모듈
공급 장치 패키지모듈
표준 포장 12
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BSM120D12P2C005
관련 링크BSM120D12, BSM120D12P2C005 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
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