창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSL202SNL6327HTSA1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSL202SN | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 03/Dec/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 2.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 22m옴 @ 7.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 30µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.7nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1147pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | PG-TSOP6-6 | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | BSL202SN L6327CT BSL202SN L6327CT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSL202SNL6327HTSA1 | |
관련 링크 | BSL202SNL6, BSL202SNL6327HTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | C1206C104Z5UACTU | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 Z5U 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C104Z5UACTU.pdf | |
![]() | GRM1555C2A8R9CA01D | 8.9pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C2A8R9CA01D.pdf | |
![]() | VJ1206Y332JBCAT4X | 3300pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206Y332JBCAT4X.pdf | |
![]() | ERJ-6RQJR27V | RES SMD 0.27 OHM 5% 1/8W 0805 | ERJ-6RQJR27V.pdf | |
![]() | ERJ-1TNF8872U | RES SMD 88.7K OHM 1% 1W 2512 | ERJ-1TNF8872U.pdf | |
![]() | L1A6701 | L1A6701 LSI QFP-240 | L1A6701.pdf | |
![]() | 54ACT10LMQB | 54ACT10LMQB ORIGINAL SMD or Through Hole | 54ACT10LMQB.pdf | |
![]() | SMT-1107G-3 | SMT-1107G-3 ORIGINAL SMD or Through Hole | SMT-1107G-3.pdf | |
![]() | 25F512N-2.7 | 25F512N-2.7 ATMEL SOP8 | 25F512N-2.7.pdf | |
![]() | ALC40A560BC450 | ALC40A560BC450 KEMET DIP | ALC40A560BC450.pdf |