창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC150N03LD G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSC150N03LD G BSC150N03LD G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 13.2nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1100pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 26W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8(5.15x6.15) | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC150N03LD G-ND BSC150N03LD GTR BSC150N03LDG BSC150N03LDGATMA1 SP000359362 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSC150N03LD G | |
| 관련 링크 | BSC150N, BSC150N03LD G 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | TS260F33CET | 26MHz ±30ppm 수정 20pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS260F33CET.pdf | |
![]() | XR17D152CM | XR17D152CM EXAR SMD or Through Hole | XR17D152CM.pdf | |
![]() | MC14038B | MC14038B MOT DIP | MC14038B.pdf | |
![]() | IMH9 T108 | IMH9 T108 ROHM SOT163 | IMH9 T108.pdf | |
![]() | AZ100ELT21D | AZ100ELT21D ArizonaMicrotek SOP8 | AZ100ELT21D.pdf | |
![]() | ZPSD411A2-C-15 | ZPSD411A2-C-15 N/A QFP-80L | ZPSD411A2-C-15.pdf | |
![]() | JM38510008038BCA | JM38510008038BCA TI DIP | JM38510008038BCA.pdf | |
![]() | GAB0312T-220M-N | GAB0312T-220M-N YAGEO SMD | GAB0312T-220M-N.pdf | |
![]() | MAX6708SEKA+T | MAX6708SEKA+T MAX SOT23-8 | MAX6708SEKA+T.pdf | |
![]() | P605. | P605. N/A SMD | P605..pdf | |
![]() | 3821500041 | 3821500041 WICKMANN SMD or Through Hole | 3821500041.pdf | |
![]() | SGM3122YTQ16/TR | SGM3122YTQ16/TR SGM TQFN-16 | SGM3122YTQ16/TR.pdf |