창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-BSC060N10NS3GATMA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BSC060N10NS3 G | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly Site Add 20/Jun/2016 Assembly Site Update 26/Jul/2016 | |
| PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | OptiMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14.9A(Ta), 90A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 90µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 68nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4900pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 다른 이름 | BSC060N10NS3 G BSC060N10NS3 G-ND BSC060N10NS3 GTR BSC060N10NS3 GTR-ND BSC060N10NS3G SP000446584 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BSC060N10NS3GATMA1 | |
| 관련 링크 | BSC060N10N, BSC060N10NS3GATMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
![]() | UMA0G470MDD1TE | 47µF 4V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UMA0G470MDD1TE.pdf | |
![]() | CRGH2010J68R | RES SMD 68 OHM 5% 1W 2010 | CRGH2010J68R.pdf | |
![]() | ULC/MACH220 | ULC/MACH220 ADM PLCC | ULC/MACH220.pdf | |
![]() | DO889CE | DO889CE DIALOG PLCC84 | DO889CE.pdf | |
![]() | MAD23030 | MAD23030 POWERBOX DIP | MAD23030.pdf | |
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![]() | AM55024 | AM55024 AMD BGA | AM55024.pdf | |
![]() | MLX43045-0412 | MLX43045-0412 MOLEX SMD or Through Hole | MLX43045-0412.pdf | |
![]() | 35-07437 | 35-07437 NA SMD or Through Hole | 35-07437.pdf | |
![]() | BZM55B2V7-GS08(2.7V) | BZM55B2V7-GS08(2.7V) VISHAY 0805LL34 | BZM55B2V7-GS08(2.7V).pdf | |
![]() | LH3565 | LH3565 LH DIP | LH3565.pdf | |
![]() | FZLL | FZLL ORIGINAL 3SOT-23 | FZLL.pdf |