창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC014NE2LSI | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC014NE2LSI | |
PCN 설계/사양 | OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2700pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 74W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC014NE2LSI-ND BSC014NE2LSIATMA1 SP000911336 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC014NE2LSI | |
관련 링크 | BSC014N, BSC014NE2LSI 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
35ZL470MEFCRX10X20 | 470µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 4000 Hrs @ 105°C | 35ZL470MEFCRX10X20.pdf | ||
2960070 | RELAY GEN PURPOSE | 2960070.pdf | ||
GSK89DS | GSK89DS ORIGINAL SIP-5 | GSK89DS.pdf | ||
M62394FP | M62394FP MIT SOP | M62394FP.pdf | ||
ADC20013RS3 | ADC20013RS3 ANADIGICS SOP-14 | ADC20013RS3.pdf | ||
YC-253A | YC-253A YE ZIP14 | YC-253A.pdf | ||
AD7859ASZG4-REEL7 | AD7859ASZG4-REEL7 AD Original | AD7859ASZG4-REEL7.pdf | ||
wxx-wx3w8ax-xx | wxx-wx3w8ax-xx ORIGINAL SMD or Through Hole | wxx-wx3w8ax-xx.pdf | ||
MR9901-YGS -SJ3 ARR2 -A22 | MR9901-YGS -SJ3 ARR2 -A22 PERKINELMER SMD or Through Hole | MR9901-YGS -SJ3 ARR2 -A22.pdf | ||
BU4229G NOPB | BU4229G NOPB ROHM SSOP5 | BU4229G NOPB.pdf |