창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSC014NE2LSI | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | BSC014NE2LSI | |
PCN 설계/사양 | OptiMOS Wafer Addition 17/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 33A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2700pF @ 12V | |
전력 - 최대 | 74W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TDSON-8 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSC014NE2LSI-ND BSC014NE2LSIATMA1 SP000911336 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | BSC014NE2LSI | |
관련 링크 | BSC014N, BSC014NE2LSI 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 |
![]() | SIT3809AI-G-18EB | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 33mA Enable/Disable | SIT3809AI-G-18EB.pdf | |
![]() | MBB02070C1654FC100 | RES 1.65M OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C1654FC100.pdf | |
![]() | AD733 | AD733 AD SOP | AD733.pdf | |
![]() | 47NJ | 47NJ ORIGINAL SMD | 47NJ.pdf | |
![]() | BA9742 | BA9742 ROHM SMD or Through Hole | BA9742.pdf | |
![]() | L2A1325-003 | L2A1325-003 SHOMITI SMD or Through Hole | L2A1325-003.pdf | |
![]() | SG-615PTJB-40.0000MHz | SG-615PTJB-40.0000MHz EPSON SOP-4 | SG-615PTJB-40.0000MHz.pdf | |
![]() | 250011E | 250011E ORIGINAL NEW | 250011E.pdf | |
![]() | 2MBI150S120 | 2MBI150S120 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2MBI150S120.pdf | |
![]() | 0-1003058-0 | 0-1003058-0 ORIGINAL SMD or Through Hole | 0-1003058-0.pdf | |
![]() | VND14NV04BTR | VND14NV04BTR ORIGINAL SMD or Through Hole | VND14NV04BTR.pdf |