Infineon Technologies BSB056N10NN3GXUMA1

BSB056N10NN3GXUMA1
제조업체 부품 번호
BSB056N10NN3GXUMA1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
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내부 부품 번호EIS-BSB056N10NN3GXUMA1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)3(168시간)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BSB056N10NN3 G
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Infineon Technologies
계열OptiMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9A(Ta), 83A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs5.6m옴 @ 30A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 100µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs74nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds5500pF @ 50V
전력 - 최대78W
작동 온도-40°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-WDSON
공급 장치 패키지MG-WDSON-2, CanPAK M™
표준 포장 5,000
다른 이름BSB056N10NN3 G
BSB056N10NN3 G-ND
BSB056N10NN3 GTR-ND
BSB056N10NN3G
BSB056N10NN3GXUMA1TR
SP000604540
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BSB056N10NN3GXUMA1
관련 링크BSB056N10N, BSB056N10NN3GXUMA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통
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