NXP Semiconductors BFU660F,115
- 제조업체 부품 번호
- BFU660F,115
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- RF 트랜지스터(BJT)
- 간단한 설명
- TRANSISTOR NPN SOT343F
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BFU660F,115 가격 및 조달
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11550 조각
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창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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BFU660F,115 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BFU660F,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | BFU660F | |
| 제품 교육 모듈 | BFU6xx/7xx, 6th and 7th Generation Wideband Transistors | |
| PCN 포장 | Date Code Extended 18/Jul/2013 Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | RF 트랜지스터(BJT) | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 5.5V | |
| 주파수 - 트랜지션 | 21GHz | |
| 잡음 지수(dB 통상 @ f) | 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz | |
| 이득 | 12dB ~ 21dB | |
| 전력 - 최대 | 225mW | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 90 @ 10mA, 2V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 60mA | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-343F | |
| 공급 장치 패키지 | 4-DFP | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-8454-2 934064611115 BFU660F,115-ND BFU660F115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | BFU660F,115 | |
| 관련 링크 | BFU660, BFU660F,115 데이터 시트, NXP Semiconductors 에이전트 유통 | |
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