홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일 » BD809G

ON Semiconductor BD809G

BD809G
제조업체 부품 번호
BD809G
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일
간단한 설명
TRANS NPN 80V 10A TO-220AB
데이터 시트 다운로드
다운로드
BD809G 가격 및 조달

가능 수량

9533 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 521.69800
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 BD809G 재고가 있습니다. 우리는 ON Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 ON Semiconductor 전자 부품 전문. BD809G 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. BD809G가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
BD809G 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BD809G 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BD809G
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서BD809,810
PCN 설계/사양TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014
PCN 조립/원산지Bipolar Power Transistor TO220 PkgAssembly & Test 16/Oct/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일
제조업체ON Semiconductor
계열-
포장튜브
부품 현황유효
트랜지스터 유형NPN
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)10A
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)80V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic1.1V @ 300mA, 3A
전류 - 콜렉터 차단(최대)1mA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce15 @ 4A, 2V
전력 - 최대90W
주파수 - 트랜지션1.5MHz
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
다른 이름BD809G-ND
BD809GOS
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)BD809G
관련 링크BD8, BD809G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통
BD809G 의 관련 제품
4.3pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D4R3DLCAC.pdf
DIODE ZENER 800MW SMF DO219-M3 BZD27C16P-M3-08.pdf
220nH Unshielded Inductor 690mA 160 mOhm Max 2-SMD 3090R-221H.pdf
RES MO 2W 510 OHM 2% AXIAL RSF2GB510R.pdf
TCL-A30V03-TO TCL DIP-64 TCL-A30V03-TO.pdf
SNJ55431BJG SNJ QQ- SNJ55431BJG.pdf
S3P822BX17-QDRB Samsung SMD or Through Hole S3P822BX17-QDRB.pdf
OPA4344 TI/BB SMD or Through Hole OPA4344.pdf
AX2358F SOP-28 ROHS AX SOP28 DIP28 AX2358F SOP-28 ROHS.pdf
1206W2C-KHB-A HUIYUAN ROHS 1206W2C-KHB-A.pdf
SPU3141 Philips SMD or Through Hole SPU3141.pdf
CXD2932 sony SMD or Through Hole CXD2932.pdf